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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Epitaxial Growth of 4H-SiC (0001) by Sublimation Method Using Horizontal Furnace

    Beteiligte:

    Park, C. K. (Autor:in) / An, J. H. (Autor:in) / Lee, W. J. (Autor:in) / Shin, B. C. (Autor:in) / Nishino, S. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 267-270

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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