Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-Type Doped SiC Source/Drain Regions: Fid-Bau Portal

Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-Type Doped SiC Source/Drain Regions

Nagahisa, Y. / Tokumitsu, E.

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Titel:

Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-Type Doped SiC Source/Drain Regions

Beteiligte:

Nagahisa, Y. (Autor:in) / Tokumitsu, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 679-682

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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