690V, 1.00 m Omega cm^2 4H-SiC Double-Trench MOSFETs: Fid-Bau Portal

690V, 1.00 m Omega cm^2 4H-SiC Double-Trench MOSFETs

Nakano, Y. / Nakamura, R. / Sakairi, H. / Mitani, S. / Nakamura, T.

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Titel:

690V, 1.00 m Omega cm^2 4H-SiC Double-Trench MOSFETs

Beteiligte:

Nakano, Y. (Autor:in) / Nakamura, R. (Autor:in) / Sakairi, H. (Autor:in) / Mitani, S. (Autor:in) / Nakamura, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1069-1072

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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