Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs: Fid-Bau Portal

Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs

Wright, N. G. / Poolamai, N. / Vassilevski, K. V. / Horsfall, A. B. / Johnson, C. M.

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Titel:

Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs

Beteiligte:

Wright, N. G. (Autor:in) / Poolamai, N. (Autor:in) / Vassilevski, K. V. (Autor:in) / Horsfall, A. B. (Autor:in) / Johnson, C. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1433-1436

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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