Simulation Study of High-k Materials for SiC Trench MOSFETs: Fid-Bau Portal

Simulation Study of High-k Materials for SiC Trench MOSFETs

Tappin, P. / Mahapatra, R. / Wright, N. G. / Bhatnagar, P. / Horsfall, A.

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Titel:

Simulation Study of High-k Materials for SiC Trench MOSFETs

Beteiligte:

Tappin, P. (Autor:in) / Mahapatra, R. (Autor:in) / Wright, N. G. (Autor:in) / Bhatnagar, P. (Autor:in) / Horsfall, A. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 839-842

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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