Dependence of the Channel Mobility in 3C-SiC n-MOSFETs on the Crystal Orientation and Channel Length: Fid-Bau Portal

Dependence of the Channel Mobility in 3C-SiC n-MOSFETs on the Crystal Orientation and Channel Length

Zippelius, B. / Hauck, M. / Beljakowa, S. / Weber, H.B. / Krieger, M. / Nagasawa, H. / Uchida, H. / Pensl, G. / Schoner, A.

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Titel:

Dependence of the Channel Mobility in 3C-SiC n-MOSFETs on the Crystal Orientation and Channel Length

Beteiligte:

Zippelius, B. (Autor:in) / Hauck, M. (Autor:in) / Beljakowa, S. (Autor:in) / Weber, H.B. (Autor:in) / Krieger, M. (Autor:in) / Nagasawa, H. (Autor:in) / Uchida, H. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Schoner, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1113-1116

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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