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    Titel:

    Microscopic Degradation Analysis of RF-Stressed AlGaN/GaN HEMTs

    Beteiligte:

    Gutle, F. (Autor:in) / Baeumler, M. (Autor:in) / Dammann, M. (Autor:in) / Casar, M. (Autor:in) / Walcher, H. (Autor:in) / Waltereit, P. (Autor:in) / Bronner, W. (Autor:in) / Muller, S. (Autor:in) / Kiefer, R. (Autor:in) / Quay, R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors XIV ; 79-84

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 725

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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