Back-Side Thinning of Silicon Carbide Wafer by Plasma Etching Using Atmospheric-Pressure Plasma: Fid-Bau Portal

Back-Side Thinning of Silicon Carbide Wafer by Plasma Etching Using Atmospheric-Pressure Plasma

Sano, Y. / Aida, K. / Nishikawa, H. / Yamamura, K. / Matsuyama, S. / Yamauchi, K.

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Titel:

Back-Side Thinning of Silicon Carbide Wafer by Plasma Etching Using Atmospheric-Pressure Plasma

Beteiligte:

Sano, Y. (Autor:in) / Aida, K. (Autor:in) / Nishikawa, H. (Autor:in) / Yamamura, K. (Autor:in) / Matsuyama, S. (Autor:in) / Yamauchi, K. (Autor:in)

Erschienen in:

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 516 ; 108-112

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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