Physical/chemical properties of tin oxide thin film transistors prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition: Fid-Bau Portal

Physical/chemical properties of tin oxide thin film transistors prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition

Lee, B.K. / Jung, E. / Kim, S.H. / Moon, D.C. / Lee, S.S. / Park, B.K. / Hwang, J.H. / Chung, T.-M. / Kim, C.G. / An, K.-S.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Physical/chemical properties of tin oxide thin film transistors prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition

Lee, B.K. / Jung, E. / Kim, S.H. / Moon, D.C. / Lee, S.S. / Park, B.K. / Hwang, J.H. / Chung, T.-M. / Kim, C.G. / An, K.-S.

Physical/chemical properties of tin oxide thin film transistors prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition

Lee, B.K. / Jung, E. / Kim, S.H. / Moon, D.C. / Lee, S.S. / Park, B.K. / Hwang, J.H. / Chung, T.-M. / Kim, C.G. / An, K.-S.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Physical/chemical properties of tin oxide thin film transistors prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition

Beteiligte:

Lee, B.K. (Autor:in) / Jung, E. (Autor:in) / Kim, S.H. (Autor:in) / Moon, D.C. (Autor:in) / Lee, S.S. (Autor:in) / Park, B.K. (Autor:in) / Hwang, J.H. (Autor:in) / Chung, T.-M. (Autor:in) / Kim, C.G. (Autor:in) / An, K.-S. (Autor:in)

Erschienen in:

Proceedings of the IFFM2011 (2011 International Forum on Functional Materials) and AFM-2 (2nd Special Symposium on Advances in Functional Materials) Jeju island, Korea 28-31 July 2011 ; 3052-3055

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 47

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

Li, Huijin / Han, Dedong / Dong, Junchen et al. | British Library Online Contents | 2018

Enhanced electrical properties of dual-layer channel ZnO thin film transistors prepared by atomic layer deposition

Li, Huijin / Han, Dedong / Dong, Junchen et al. | British Library Online Contents | 2018

Facile Encapsulation of Oxide based Thin Film Transistors by Atomic Layer Deposition based on Ozone

Fakhri, M. / Babin, N. / Behrendt, A. et al. | British Library Online Contents | 2013

Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor

Jung, H. / Kim, W. H. / Oh, I. K. et al. | British Library Online Contents | 2016

ZRO∼2-coated SiC nanowires prepared by plasma-enhanced Atomic layer chemical vapour deposition

Tak, Y. / Yong, K. | British Library Online Contents | 2005

Nach oben