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The diffusivity of the vacancy in silicon: Is it fast or slow?

Voronkov, V. V. / Falster, R.

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Titel:

The diffusivity of the vacancy in silicon: Is it fast or slow?

Beteiligte:

Voronkov, V. V. (Autor:in) / Falster, R. (Autor:in) / Bracht, H. / Impellizzeri, G.

Erschienen in:

New Aspects of Si- and Ge-based Materials and Devices ; 697-702

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 15

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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