Controllable crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films driven by multiple femtosecond laser pulses: Fid-Bau Portal

Controllable crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films driven by multiple femtosecond laser pulses

Yang, Q. / Cai, Z. / Wang, Y. / Huang, H. / Wu, Y.

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Titel:

Controllable crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films driven by multiple femtosecond laser pulses

Beteiligte:

Yang, Q. (Autor:in) / Cai, Z. (Autor:in) / Wang, Y. (Autor:in) / Huang, H. (Autor:in) / Wu, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 193 ; 189-197

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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