Composition-dependent structural, optical and electrical properties of In x Ga1−x N (0.5 ≤ x ≤ 0.93) thin films grown by modified activated reactive evaporation: Fid-Bau Portal

Composition-dependent structural, optical and electrical properties of In x Ga1−x N (0.5 ≤ x ≤ 0.93) thin films grown by modified activated reactive evaporation

Meher, S. R. / Subrahmanyam, A. / Jain, M. K.

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Titel:

Composition-dependent structural, optical and electrical properties of In x Ga1−x N (0.5 ≤ x ≤ 0.93) thin films grown by modified activated reactive evaporation

Beteiligte:

Meher, S. R. (Autor:in) / Subrahmanyam, A. (Autor:in) / Jain, M. K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 48 ; 1196-1204

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)