Study of the Effects of Growth Rate, Miscut Direction and Postgrowth Argon Annealing on the Surface Morphology of Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide Films: Fid-Bau Portal

Study of the Effects of Growth Rate, Miscut Direction and Postgrowth Argon Annealing on the Surface Morphology of Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide Films

Camarda, M. / Canino, A. / Fiorenza, P. / Severino, A. / Anzalone, R. / Privitera, S. / La Magna, A. / La Via, F. / Vecchio, C. / Mauceri, M.

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Camarda, M. / Canino, A. / Fiorenza, P. / Severino, A. / Anzalone, R. / Privitera, S. / La Magna, A. / La Via, F. / Vecchio, C. / Mauceri, M.

Study of the Effects of Growth Rate, Miscut Direction and Postgrowth Argon Annealing on the Surface Morphology of Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide Films

Camarda, M. / Canino, A. / Fiorenza, P. / Severino, A. / Anzalone, R. / Privitera, S. / La Magna, A. / La Via, F. / Vecchio, C. / Mauceri, M.

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Titel:

Study of the Effects of Growth Rate, Miscut Direction and Postgrowth Argon Annealing on the Surface Morphology of Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide Films

Beteiligte:

Camarda, M. (Autor:in) / Canino, A. (Autor:in) / Fiorenza, P. (Autor:in) / Severino, A. (Autor:in) / Anzalone, R. (Autor:in) / Privitera, S. (Autor:in) / La Magna, A. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in) / Vecchio, C. (Autor:in) / Mauceri, M. (Autor:in)