Influence of Growth Temperature on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers: Fid-Bau Portal

Influence of Growth Temperature on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers

Lilja, L. / Hassan, J.u. / Booker, I.D. / Bergman, P. / Janzen, E.

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Titel:

Influence of Growth Temperature on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers

Beteiligte:

Lilja, L. (Autor:in) / Hassan, J.u. (Autor:in) / Booker, I.D. (Autor:in) / Bergman, P. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 637-640

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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