A novel technique for fabricating trench MOSFET employing oxide spacers and self-align techniques: Fid-Bau Portal

A novel technique for fabricating trench MOSFET employing oxide spacers and self-align techniques

Baek, J. / Kim, J. / Kim, S. G. / Moon, J. K. / Lee, Y. H.

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Titel:

A novel technique for fabricating trench MOSFET employing oxide spacers and self-align techniques

Beteiligte:

Baek, J. (Autor:in) / Kim, J. (Autor:in) / Kim, S. G. (Autor:in) / Moon, J. K. (Autor:in) / Lee, Y. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 97 ; 123-128

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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