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    Titel:

    Development of SiC Super-Junction (SJ) Device by Deep Trench-Filling Epitaxial Growth

    Beteiligte:

    Kosugi, R. (Autor:in) / Sakuma, Y. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Itoh, S. (Autor:in) / Nagata, A. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Tanaka, Y. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 785-788

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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