Charge Pumping Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Structures: Fid-Bau Portal

Charge Pumping Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Structures

Martin, L.C. / Clark, D. / Ramsay, E.P. / Murphy, A.E. / Thompson, R.F. / Smith, D.A. / Young, R.A.R. / Cormack, J.D. / Wright, N.G. / Horsfall, A.B.

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Martin, L.C. / Clark, D. / Ramsay, E.P. / Murphy, A.E. / Thompson, R.F. / Smith, D.A. / Young, R.A.R. / Cormack, J.D. / Wright, N.G. / Horsfall, A.B.

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Martin, L.C. / Clark, D. / Ramsay, E.P. / Murphy, A.E. / Thompson, R.F. / Smith, D.A. / Young, R.A.R. / Cormack, J.D. / Wright, N.G. / Horsfall, A.B.

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Titel:

Charge Pumping Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Structures

Beteiligte:

Martin, L.C. (Autor:in) / Clark, D. (Autor:in) / Ramsay, E.P. (Autor:in) / Murphy, A.E. (Autor:in) / Thompson, R.F. (Autor:in) / Smith, D.A. (Autor:in) / Young, R.A.R. (Autor:in) / Cormack, J.D. (Autor:in) / Wright, N.G. (Autor:in) / Horsfall, A.B. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 891-894

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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