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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs

    Beteiligte:

    Ouaida, R. (Autor:in) / Buttay, C. (Autor:in) / Hoang, A. (Autor:in) / Riva, R. (Autor:in) / Bergogne, D. (Autor:in) / Morel, H. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Morel, F. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 929-933

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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