Fabrication of a P-Channel SiC-IGBT with High Channel Mobility: Fid-Bau Portal

Fabrication of a P-Channel SiC-IGBT with High Channel Mobility

Katakami, S. / Fujisawa, H. / Takenaka, K. / Ishimori, H. / Takasu, S. / Okamoto, M. / Arai, M. / Yonezawa, Y. / Fukuda, K.

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Titel:

Fabrication of a P-Channel SiC-IGBT with High Channel Mobility

Beteiligte:

Katakami, S. (Autor:in) / Fujisawa, H. (Autor:in) / Takenaka, K. (Autor:in) / Ishimori, H. (Autor:in) / Takasu, S. (Autor:in) / Okamoto, M. (Autor:in) / Arai, M. (Autor:in) / Yonezawa, Y. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Lebedev, A.A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 958-961

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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