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    Dokumentinformationen
    Titel:

    2DEG HEMT Mobility vs Inversion Channel MOSFET Mobility

    Beteiligte:

    Perez-Tomas, A. (Autor:in) / Placidi, M. (Autor:in) / Baron, N. (Autor:in) / Chenot, S. (Autor:in) / Cordier, Y. (Autor:in) / Moreno, J.C. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 1207-1210

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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