1 MHz Resonant DC/DC-Converter Using 600 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistors: Fid-Bau Portal

1 MHz Resonant DC/DC-Converter Using 600 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistors

Wienhausen, A.H. / Kranzer, D.

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Titel:

1 MHz Resonant DC/DC-Converter Using 600 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistors

Beteiligte:

Wienhausen, A.H. (Autor:in) / Kranzer, D. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 1123-1128

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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