Preparation and characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals in SiC"x films: Fid-Bau Portal

Preparation and characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals in SiC"x films

Zeng, Y. / Dai, N. / Cheng, Q. / Huang, J. / Liang, X. / Song, W.

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Titel:

Preparation and characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals in SiC"x films

Beteiligte:

Zeng, Y. (Autor:in) / Dai, N. (Autor:in) / Cheng, Q. (Autor:in) / Huang, J. (Autor:in) / Liang, X. (Autor:in) / Song, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16 ; 598-604

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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