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Using Grey relational analysis to determine wet chemical etching parameters in through-silicon-via etching application

Tang, C.-W. / Young, H.-T.

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Titel:

Using Grey relational analysis to determine wet chemical etching parameters in through-silicon-via etching application

Beteiligte:

Tang, C.-W. (Autor:in) / Young, H.-T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16 ; 403-409

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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