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    Titel:

    Structural properties of porous In0.08Ga0.92N synthesized using photoelectrochemical etching

    Beteiligte:

    Abud, S. H. (Autor:in) / Hassan, Z. (Autor:in) / Yam, F. K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 107 ; 367-369

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1105 / 530

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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