Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates

    Neue Suche nach: Zhang, K.
    Neue Suche nach: Liang, H.
    Neue Suche nach: Song, S.
    Neue Suche nach: Yang, D.
    Neue Suche nach: Shen, R.
    Neue Suche nach: Liu, Y.
    Neue Suche nach: Xia, X.
    Neue Suche nach: Luo, Y.
    Neue Suche nach: Du, G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates

    Neue Suche nach: Zhang, K.
    Neue Suche nach: Liang, H.
    Neue Suche nach: Song, S.
    Neue Suche nach: Yang, D.
    Neue Suche nach: Shen, R.
    Neue Suche nach: Liu, Y.
    Neue Suche nach: Xia, X.
    Neue Suche nach: Luo, Y.
    Neue Suche nach: Du, G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates

    Neue Suche nach: Zhang, K.
    Neue Suche nach: Liang, H.
    Neue Suche nach: Song, S.
    Neue Suche nach: Yang, D.
    Neue Suche nach: Shen, R.
    Neue Suche nach: Liu, Y.
    Neue Suche nach: Xia, X.
    Neue Suche nach: Luo, Y.
    Neue Suche nach: Du, G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates

    Beteiligte:

    Zhang, K. (Autor:in) / Liang, H. (Autor:in) / Song, S. (Autor:in) / Yang, D. (Autor:in) / Shen, R. (Autor:in) / Liu, Y. (Autor:in) / Xia, X. (Autor:in) / Luo, Y. (Autor:in) / Du, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION ; 41 ; 798-803

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0090-3973

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Wing tilt investigations on GaN epilayer grown on maskless grooved sapphire by MOCVD

    Yu, N. S. / Zhu, X. L. / Peng, M. Z. et al. | British Library Online Contents | 2010

    Growth temperature dependence of strain in a GaN epilayer, grown on a c-plane sapphire substrate

    Cho, S. I. / Chang, K. / Kwon, M. S. | British Library Online Contents | 2008

    Strain analysis of a GaN epilayer grown on a c-plane sapphire substrate with different growth times

    Cho, S. I. / Chang, K. / Kwon, M. S. | British Library Online Contents | 2007

    Precipitates in GaN epilayers grown on sapphire substrates

    Kang, J. / Ogawa, T. | British Library Online Contents | 1998

    GaN PIN Photodiodes Grown on Sapphire and SiC Substrates

    Smith, G. M. / Chriss, M. F. / Tamweber, F. D. et al. | British Library Online Contents | 2000

    Nach oben