Surface modification and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon: Fid-Bau Portal

Surface modification and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon

Turishchev, S.Yu. / Terekhov, V. A. / Parinova, E. V. / Korolik, O. V. / Mazanik, A. V. / Fedotov, A. K.

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Titel:

Surface modification and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon

Beteiligte:

Turishchev, S.Yu. (Autor:in) / Terekhov, V. A. (Autor:in) / Parinova, E. V. (Autor:in) / Korolik, O. V. (Autor:in) / Mazanik, A. V. (Autor:in) / Fedotov, A. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16 ; 1377-1381

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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