Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates: Fid-Bau Portal

Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates

Li, K. L. / Dong, J. R. / Sun, Y. R. / Zeng, X. L. / Zhao, Y. M. / Yu, S. Z. / Zhao, C. Y. / Yang, H.

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Titel:

Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates

Beteiligte:

Li, K. L. (Autor:in) / Dong, J. R. (Autor:in) / Sun, Y. R. (Autor:in) / Zeng, X. L. (Autor:in) / Zhao, Y. M. (Autor:in) / Yu, S. Z. (Autor:in) / Zhao, C. Y. (Autor:in) / Yang, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 288 ; 482-487

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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