Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates: Fid-Bau Portal

Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates

Rosenblad, C. / Stangl, J. / Muller, E. / Bauer, G. / von Kanel, H.

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Titel:

Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates

Beteiligte:

Rosenblad, C. (Autor:in) / Stangl, J. (Autor:in) / Muller, E. (Autor:in) / Bauer, G. (Autor:in) / von Kanel, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 71 ; 20 - 23

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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