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    Titel:

    High-frequency and switching performance investigations of novel lightly doped drain and source hetero-material-gate CNTFET

    Beteiligte:

    Wang, W. (Autor:in) / Zhang, T. (Autor:in) / Zhang, L. (Autor:in) / Li, N. (Autor:in) / Yue, G. (Autor:in) / Yang, X. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 21 ; 132-139

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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