Influence of hydrogen annealing on structure and optoelectronic properties in Al doped ZnO thin films: Fid-Bau Portal

Influence of hydrogen annealing on structure and optoelectronic properties in Al doped ZnO thin films

Ma, X.C. / Zhao, Y. / Zhu, D.L. / Lu, Y.M. / Cao, P.J. / Liu, W.J. / Han, S. / Jia, F.

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Influence of hydrogen annealing on structure and optoelectronic properties in Al doped ZnO thin films

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Titel:

Influence of hydrogen annealing on structure and optoelectronic properties in Al doped ZnO thin films

Beteiligte:

Ma, X.C. (Autor:in) / Zhao, Y. (Autor:in) / Zhu, D.L. (Autor:in) / Lu, Y.M. (Autor:in) / Cao, P.J. (Autor:in) / Liu, W.J. (Autor:in) / Han, S. (Autor:in) / Jia, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS TECHNOLOGY ; 29 ; 101-104

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1066-7857

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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