HCl Assisted Growth of Thick 4H-SiC Epilayers for Bipolar Devices: Fid-Bau Portal

HCl Assisted Growth of Thick 4H-SiC Epilayers for Bipolar Devices

Kallinger, B. / Ehlers, C. / Berwian, P. / Rommel, M. / Friedrich, J.

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Titel:

HCl Assisted Growth of Thick 4H-SiC Epilayers for Bipolar Devices

Beteiligte:

Kallinger, B. (Autor:in) / Ehlers, C. (Autor:in) / Berwian, P. (Autor:in) / Rommel, M. (Autor:in) / Friedrich, J. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 210-213

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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