Optical Investigation of 3C-SiC Hetero-Epitaxial Layers Grown by Sublimation Epitaxy under Gas Atmosphere: Fid-Bau Portal

Optical Investigation of 3C-SiC Hetero-Epitaxial Layers Grown by Sublimation Epitaxy under Gas Atmosphere

Kwasnicki, P. / Jokubavicius, V. / Sun, J.W. / Peyre, H. / Yakimova, R. / Syvajarvi, M. / Camassel, J. / Juillaguet, S.

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Titel:

Optical Investigation of 3C-SiC Hetero-Epitaxial Layers Grown by Sublimation Epitaxy under Gas Atmosphere

Beteiligte:

Kwasnicki, P. (Autor:in) / Jokubavicius, V. (Autor:in) / Sun, J.W. (Autor:in) / Peyre, H. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Camassel, J. (Autor:in) / Juillaguet, S. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 243-246

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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