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    Titel:

    Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses

    Beteiligte:

    Deki, M. (Autor:in) / Makino, T. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Tomita, T. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 440-443

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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