The electrical properties of MIS capacitors with ALN gate dielectrics: Fid-Bau Portal

The electrical properties of MIS capacitors with ALN gate dielectrics

Adam, T. / Kolodzey, J. / Swann, C. P. / Tsao, M. W. / Rabolt, J. F.

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Titel:

The electrical properties of MIS capacitors with ALN gate dielectrics

Beteiligte:

Adam, T. (Autor:in) / Kolodzey, J. (Autor:in) / Swann, C. P. (Autor:in) / Tsao, M. W. (Autor:in) / Rabolt, J. F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 175-176 ; 428-435

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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