Radiation-Induced Trapped Charging Effects in SiC Power MOSFETs: Fid-Bau Portal

Radiation-Induced Trapped Charging Effects in SiC Power MOSFETs

Green, R. / Lelis, A. / Urciuoli, D. / Litz, M. / Carroll, J.

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Titel:

Radiation-Induced Trapped Charging Effects in SiC Power MOSFETs

Beteiligte:

Green, R. (Autor:in) / Lelis, A. (Autor:in) / Urciuoli, D. (Autor:in) / Litz, M. (Autor:in) / Carroll, J. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 533-536

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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