Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs: Fid-Bau Portal

Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs

Takakura, K. / Ohyama, H. / Hayama, K. / Aoki, Y. / Eneman, G. / Verheyen, P. / Simoen, E. / Loo, R. / Claeys, C.

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Titel:

Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs

Beteiligte:

Takakura, K. (Autor:in) / Ohyama, H. (Autor:in) / Hayama, K. (Autor:in) / Aoki, Y. (Autor:in) / Eneman, G. (Autor:in) / Verheyen, P. (Autor:in) / Simoen, E. (Autor:in) / Loo, R. (Autor:in) / Claeys, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 732-736

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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