Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs

Strenger, C. / Uhnevionak, V. / Mortet, V. / Ortiz, G. / Erlbacher, T. / Burenkov, A. / Bauer, A.J. / Cristiano, F. / Bedel-Pereira, E. / Pichler, P.

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Titel:

Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Strenger, C. (Autor:in) / Uhnevionak, V. (Autor:in) / Mortet, V. (Autor:in) / Ortiz, G. (Autor:in) / Erlbacher, T. (Autor:in) / Burenkov, A. (Autor:in) / Bauer, A.J. (Autor:in) / Cristiano, F. (Autor:in) / Bedel-Pereira, E. (Autor:in) / Pichler, P. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 583-586

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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