4H-SiC Planarization Using Catalyst-Referred Etching with Pure Water: Fid-Bau Portal

4H-SiC Planarization Using Catalyst-Referred Etching with Pure Water

Isohashi, A. / Sano, Y. / Sadakuni, S. / Yamauchi, K.

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Titel:

4H-SiC Planarization Using Catalyst-Referred Etching with Pure Water

Beteiligte:

Isohashi, A. (Autor:in) / Sano, Y. (Autor:in) / Sadakuni, S. (Autor:in) / Yamauchi, K. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H. / Hatayama, T.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 722-725

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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