Abrasive-Free Planarization of 3-Inch 4H-SiC Substrate Using Catalyst-Referred Etching: Fid-Bau Portal

Abrasive-Free Planarization of 3-Inch 4H-SiC Substrate Using Catalyst-Referred Etching

Okamoto, T. / Sano, Y. / Tachibana, K. / Arima, K. / Hattori, A.N. / Yagi, K. / Murata, J. / Sadakuni, S. / Yamauchi, K.

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Titel:

Abrasive-Free Planarization of 3-Inch 4H-SiC Substrate Using Catalyst-Referred Etching

Beteiligte:

Okamoto, T. (Autor:in) / Sano, Y. (Autor:in) / Tachibana, K. (Autor:in) / Arima, K. (Autor:in) / Hattori, A.N. (Autor:in) / Yagi, K. (Autor:in) / Murata, J. (Autor:in) / Sadakuni, S. (Autor:in) / Yamauchi, K. (Autor:in) / Monakhov, E.V.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 493-495

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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