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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Study of 4H-SiC Schottky Diode Designs for 3.3kV Applications

    Beteiligte:

    Bartolf, H. (Autor:in) / Sundaramoorthy, V. (Autor:in) / Mihaila, A. (Autor:in) / Berthou, M. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 795-799

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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