Measurement of Carrier Lifetime Temperature Dependence in 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes Using OCVD Technique: Fid-Bau Portal

Measurement of Carrier Lifetime Temperature Dependence in 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes Using OCVD Technique

Dheilly, N. / Planson, D. / Brosselard, P. / Hassan, J. / Bevilacqua, P. / Tournier, D. / Montserrat, J. / Raynaud, C. / Morel, H.

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Titel:

Measurement of Carrier Lifetime Temperature Dependence in 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes Using OCVD Technique

Beteiligte:

Dheilly, N. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Brosselard, P. (Autor:in) / Hassan, J. (Autor:in) / Bevilacqua, P. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Montserrat, J. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Morel, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 703-706

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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