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    Dokumentinformationen
    Titel:

    High Voltage and Fast Switching Reverse Recovery Characteristics of 4H-SiC PiN Diode

    Beteiligte:

    Nakayama, K. (Autor:in) / Ogata, S. (Autor:in) / Hayashi, T. (Autor:in) / Hemmi, T. (Autor:in) / Tanaka, A. (Autor:in) / Izumi, T. (Autor:in) / Asano, K. (Autor:in) / Okamoto, D. (Autor:in) / Tanaka, Y. (Autor:in) / Mizushima, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 841-844

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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