Development of 3.3 kV SiC-MOSFET: Suppression of Forward Voltage Degradation of the Body Diode: Fid-Bau Portal

Development of 3.3 kV SiC-MOSFET: Suppression of Forward Voltage Degradation of the Body Diode

Yamamoto, S. / Nakao, Y. / Tomita, N. / Nakata, S. / Yamakawa, S.

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Titel:

Development of 3.3 kV SiC-MOSFET: Suppression of Forward Voltage Degradation of the Body Diode

Beteiligte:

Yamamoto, S. (Autor:in) / Nakao, Y. (Autor:in) / Tomita, N. (Autor:in) / Nakata, S. (Autor:in) / Yamakawa, S. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 951-954

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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