Comparative Study of 4H-SiC DMOSFETs with N~2O Thermal Oxide and Deposit Oxide with Post Oxidation Anneal: Fid-Bau Portal

Comparative Study of 4H-SiC DMOSFETs with N~2O Thermal Oxide and Deposit Oxide with Post Oxidation Anneal

Yen, C.T. / Hung, C.C. / Mikhaylov, A. / Lee, C.Y. / Lee, L.S. / Wei, J.H. / Chiu, T.Y. / Huang, C.F. / Reshanov, S. / Schoner, A.

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Yen, C.T. / Hung, C.C. / Mikhaylov, A. / Lee, C.Y. / Lee, L.S. / Wei, J.H. / Chiu, T.Y. / Huang, C.F. / Reshanov, S. / Schoner, A.

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Yen, C.T. / Hung, C.C. / Mikhaylov, A. / Lee, C.Y. / Lee, L.S. / Wei, J.H. / Chiu, T.Y. / Huang, C.F. / Reshanov, S. / Schoner, A.

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Titel:

Comparative Study of 4H-SiC DMOSFETs with N~2O Thermal Oxide and Deposit Oxide with Post Oxidation Anneal

Beteiligte:

Yen, C.T. (Autor:in) / Hung, C.C. (Autor:in) / Mikhaylov, A. (Autor:in) / Lee, C.Y. (Autor:in) / Lee, L.S. (Autor:in) / Wei, J.H. (Autor:in) / Chiu, T.Y. (Autor:in) / Huang, C.F. (Autor:in) / Reshanov, S. (Autor:in) / Schoner, A. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 989-992

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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