The Effect of Post-Conventional Thermal Annealing Process on the Photoluminescence Characteristics of Si^+-Implanted SiO~2 Thin Films: Fid-Bau Portal

The Effect of Post-Conventional Thermal Annealing Process on the Photoluminescence Characteristics of Si^+-Implanted SiO~2 Thin Films

Yang, F.W. / Cheng, C.M. / Chen, K.H.

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Titel:

The Effect of Post-Conventional Thermal Annealing Process on the Photoluminescence Characteristics of Si^+-Implanted SiO~2 Thin Films

Beteiligte:

Yang, F.W. (Autor:in) / Cheng, C.M. (Autor:in) / Chen, K.H. (Autor:in) / Pan, W. / Gong, J.

Erschienen in:

High-Performance Ceramics VIII ; 1013-1016

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 602/603

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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