Effect of flash lamp annealing on electrical activation in boron-implanted polycrystalline Si thin films: Fid-Bau Portal

Effect of flash lamp annealing on electrical activation in boron-implanted polycrystalline Si thin films

Do, W. / Jin, W. B. / Choi, J. / Bae, S. M. / Kim, H. J. / Kim, B. K. / Park, S. / Hwang, J. H.

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Titel:

Effect of flash lamp annealing on electrical activation in boron-implanted polycrystalline Si thin films

Beteiligte:

Do, W. (Autor:in) / Jin, W. B. (Autor:in) / Choi, J. (Autor:in) / Bae, S. M. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Kim, B. K. (Autor:in) / Park, S. (Autor:in) / Hwang, J. H. (Autor:in) / Boo, J.-H. / Greenblatt, M.

Erschienen in:

Proceedings of the IFFM2013 - Vol. 1: Fundamentals of the functional materials and Vol. 2: Applications of the functional materials ; 164-168

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 58

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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