Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2 V Open-Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells: Fid-Bau Portal

Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2 V Open-Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells

Lee, Y. S. / Chua, D. / Brandt, R. E. / Siah, S. C. / Li, J. V. / Mailoa, J. P. / Lee, S. W. / Gordon, R. G. / Buonassisi, T.

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Titel:

Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2 V Open-Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells

Beteiligte:

Lee, Y. S. (Autor:in) / Chua, D. (Autor:in) / Brandt, R. E. (Autor:in) / Siah, S. C. (Autor:in) / Li, J. V. (Autor:in) / Mailoa, J. P. (Autor:in) / Lee, S. W. (Autor:in) / Gordon, R. G. (Autor:in) / Buonassisi, T. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 4704-4710

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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