Enhanced Sensitivity of Pt/NiO Gate Based AlGaN/GaN C-HEMT Hydrogen Sensor: Fid-Bau Portal

Enhanced Sensitivity of Pt/NiO Gate Based AlGaN/GaN C-HEMT Hydrogen Sensor

Ryger, I. / Vanko, G. / Lalinsky, T. / Dzuba, J. / Vallo, M. / Kunzo, P. / Vavra, I.

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Titel:

Enhanced Sensitivity of Pt/NiO Gate Based AlGaN/GaN C-HEMT Hydrogen Sensor

Beteiligte:

Ryger, I. (Autor:in) / Vanko, G. (Autor:in) / Lalinsky, T. (Autor:in) / Dzuba, J. (Autor:in) / Vallo, M. (Autor:in) / Kunzo, P. (Autor:in) / Vavra, I. (Autor:in)

Erschienen in:

KEY ENGINEERING MATERIALS ; 605 ; 491-494

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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