Copper ion implanted aluminum nitride dilute magnetic semiconductors (DMS) prepared by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Copper ion implanted aluminum nitride dilute magnetic semiconductors (DMS) prepared by molecular beam epitaxy

Shah, A. / Ahmad, J. / Ahmad, I. / Mehmood, M. / Mahmood, A. / Rasheed, M. A.

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Titel:

Copper ion implanted aluminum nitride dilute magnetic semiconductors (DMS) prepared by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Shah, A. (Autor:in) / Ahmad, J. (Autor:in) / Ahmad, I. (Autor:in) / Mehmood, M. (Autor:in) / Mahmood, A. (Autor:in) / Rasheed, M. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 317 ; 262-268

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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