Metal-insulator transition properties of sputtered silicon-doped and un-doped vanadium dioxide films at terahertz range: Fid-Bau Portal

Metal-insulator transition properties of sputtered silicon-doped and un-doped vanadium dioxide films at terahertz range

Zhang, H. / Wu, Z. / Niu, R. / Wu, X. / he, Q. / Jiang, Y.

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Titel:

Metal-insulator transition properties of sputtered silicon-doped and un-doped vanadium dioxide films at terahertz range

Beteiligte:

Zhang, H. (Autor:in) / Wu, Z. (Autor:in) / Niu, R. (Autor:in) / Wu, X. (Autor:in) / he, Q. (Autor:in) / Jiang, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 331 ; 92-97

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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